■■■統合失調症・架空の病気■■■
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136電磁波犯罪と精神医療の事実
137電磁波犯罪と精神医療の真実
138優しい名無しさん
139優しい名無しさん
140電磁波ビームで精神病
141優しい名無しさん
142優しい名無しさん
143電磁波犯罪と似非科学・精神医療の歴史
144電磁波犯罪と精神医療の真実
振動する偏光電磁界／電磁放射（偏向されていないものとは対照的に）は、媒体の範囲内で荷電／極性分子上でコヒーレントな強制振動を誘発する能力を持ちます。媒体が
生物組織の場合、全ての荷電分子は、電磁界そして偏光の平行平面上で同調して振動させられます(19,20)。同じ偏光−例えば垂直に向けられた異なるアンテナからの電磁界
−のいくらかの振動している電磁界は、強め合う干渉効果も生み出すかもしれず、このように、特定の場所において、局所的な電磁界強度、そして媒体の範囲内（そして生き
ている組織の範囲内で）のどんな荷電粒子の振動の振幅も増幅させます。そのような場所で、生きている組織は、生物学的影響の開始によって、より影響されやすくなります
(21)。
生物組織の場合、全ての荷電分子は、電磁界そして偏光の平行平面上で同調して振動させられます(19,20)。同じ偏光−例えば垂直に向けられた異なるアンテナからの電磁界
−のいくらかの振動している電磁界は、強め合う干渉効果も生み出すかもしれず、このように、特定の場所において、局所的な電磁界強度、そして媒体の範囲内（そして生き
ている組織の範囲内で）のどんな荷電粒子の振動の振幅も増幅させます。そのような場所で、生きている組織は、生物学的影響の開始によって、より影響されやすくなります
(21)。
2017/12/21(木)23:19:28.96(GYv1suxhs)
136電磁波犯罪と精神医療の事実
同じ偏光と周波数のコヒーレントな偏光電磁界／電磁波だけが、永続的な干渉効果（最大そして最小強度の周辺部）を生み出せます。偏光が固定されたとき（例えば垂直配
向アンテナ）、供給源のあいだのコヒーレント性そしてまたは周波数には違いがあり、干渉効果は固定された場所に止まらず、経時変化は場所の変更で一時的なピークを作り
ます。二つまたは、より多くの異なる供給源からの自然光は、−順に−コヒーレントな第二の供給源−２つが同じになり(18,23)、単一の供給源からの光がふたつの同一のス
リット（隙間）を通過するというヤング実験（Young's nterference experiment,複スリットを用いた、光の干渉性を示す実験）の特定の状況下を除いて、干渉効果を生じま
せん。
向アンテナ）、供給源のあいだのコヒーレント性そしてまたは周波数には違いがあり、干渉効果は固定された場所に止まらず、経時変化は場所の変更で一時的なピークを作り
ます。二つまたは、より多くの異なる供給源からの自然光は、−順に−コヒーレントな第二の供給源−２つが同じになり(18,23)、単一の供給源からの光がふたつの同一のス
リット（隙間）を通過するというヤング実験（Young's nterference experiment,複スリットを用いた、光の干渉性を示す実験）の特定の状況下を除いて、干渉効果を生じま
せん。
2017/12/28(木)15:05:01.22(7j7rEDR41)
137電磁波犯罪と精神医療の真実
特定の結晶のような、異方性の媒体を通り抜けるとき、非偏光電磁放射は偏光されます。流体（ガスと液体）において、分子は無作為に配置され、巨視的にそれらを通して
放出された電磁波内で等方的に無偏光を誘発すると考えられます。非偏光の自然光は、大気の分子上で回折または水、鏡、金属表面などの上での反射後に少ない平均温度のた
め部分的に偏光されます(18)。このように、生物は地球上の生命の誕生以来、自然の放射に曝され、特定の状況下(24,25)で少ない平均温度で部分的に偏光された光に曝され
たものの、現代のヒトの技術の電磁放射／電磁界のような完全に偏光された電磁放射に曝されたことはありませんでした。
放出された電磁波内で等方的に無偏光を誘発すると考えられます。非偏光の自然光は、大気の分子上で回折または水、鏡、金属表面などの上での反射後に少ない平均温度のた
め部分的に偏光されます(18)。このように、生物は地球上の生命の誕生以来、自然の放射に曝され、特定の状況下(24,25)で少ない平均温度で部分的に偏光された光に曝され
たものの、現代のヒトの技術の電磁放射／電磁界のような完全に偏光された電磁放射に曝されたことはありませんでした。
2018/01/03(水)01:56:01.16(WgdMuo5Rl)
138優しい名無しさん
偏光された電磁界による生きている組織内の強制振動の誘導
全ての重要な生体分子は、電気的に荷電または極性です(11)。任意の強度における自然の非偏光電磁界／電磁放射は、それらの分子上のどんな固有／コヒーレントな振動も誘発
できませんが、一方で偏光した人工電磁界／電磁波は、生体組織内のあらゆる荷電／極性の分子上でコヒーレントな強制振動を誘発するでしょう。これは、生物学的現象の理解
のための基本となります。この振動は、電荷作用を運ぶ自由イオン（可動イオン）について最も明白になり、実質的に全ての細胞／生物学的機能を決定している全てのタイプの
細胞内に高濃度に存在します(11)。全ての分子は、熱運動によるはるかに高い速度で無作為に振動しますが、これは組織温度の増加以外の生物学的影響を持ちません。
しかし、平均的な熱の分子エネルギーより何百万倍も小さなエネルギーのコヒーレントな偏光した振動(26)さえ、生物学的影響を始動できます。外部の偏光された電磁界に誘発
された、可動イオンの強制振動は、細胞膜上の電子感応イオンチャンネルの不規則なゲート制御をもたらします。 それは、Panagopoulosほか(19,20)で詳述されました。
この理論による−実際の生物学的状況の妥当性は、数値検査(27)により確かめられ、電位依存性イオンチャネルの電圧センサー近傍のイオンの強制振動は、それらのチャンネル
を生理的にゲート制限することで知られる力と等しい、または、より大きいこれらのセンサーに力を発揮できます。
これらのチャンネルの不規則なゲート制御は、どんな細胞の電気化学的な均衡と機能も潜在的に損なわせ(11)、例えばDNA損傷、細胞死、ガンのような最も有害なものを含む、
いろいろな生物学的／健康影響に至ります(28)。
全ての重要な生体分子は、電気的に荷電または極性です(11)。任意の強度における自然の非偏光電磁界／電磁放射は、それらの分子上のどんな固有／コヒーレントな振動も誘発
できませんが、一方で偏光した人工電磁界／電磁波は、生体組織内のあらゆる荷電／極性の分子上でコヒーレントな強制振動を誘発するでしょう。これは、生物学的現象の理解
のための基本となります。この振動は、電荷作用を運ぶ自由イオン（可動イオン）について最も明白になり、実質的に全ての細胞／生物学的機能を決定している全てのタイプの
細胞内に高濃度に存在します(11)。全ての分子は、熱運動によるはるかに高い速度で無作為に振動しますが、これは組織温度の増加以外の生物学的影響を持ちません。
しかし、平均的な熱の分子エネルギーより何百万倍も小さなエネルギーのコヒーレントな偏光した振動(26)さえ、生物学的影響を始動できます。外部の偏光された電磁界に誘発
された、可動イオンの強制振動は、細胞膜上の電子感応イオンチャンネルの不規則なゲート制御をもたらします。 それは、Panagopoulosほか(19,20)で詳述されました。
この理論による−実際の生物学的状況の妥当性は、数値検査(27)により確かめられ、電位依存性イオンチャネルの電圧センサー近傍のイオンの強制振動は、それらのチャンネル
を生理的にゲート制限することで知られる力と等しい、または、より大きいこれらのセンサーに力を発揮できます。
これらのチャンネルの不規則なゲート制御は、どんな細胞の電気化学的な均衡と機能も潜在的に損なわせ(11)、例えばDNA損傷、細胞死、ガンのような最も有害なものを含む、
いろいろな生物学的／健康影響に至ります(28)。
2018/01/10(水)00:23:50.19(+KwId4aAy)
139優しい名無しさん
全ての動物細胞の膜上のほとんどの陽イオンチャンネル（Ca+2,K+,Na+,etc)は、電圧制御です(11)。それらは、それらの電圧センサーの電気的変化上の静電気力が、膜内外電圧
変化により、開閉状態のあいだで相互変換し、いくらかの臨界値を超えます。これらのチャンネルの電圧センサーは、４つに対照的に配置された、膜内外の正に電荷した螺旋形
の領域であり、それぞれがS4と称されます。30mV程度上の膜内外電位差の変化は、通常、電子感応チャンネルのゲート制御に必要とされます(29,30)。いくらかのイオンは、1nm
程度上の間隔によるS4領域で同時に瞬間的に作用するかもしれず、そのため−ひとつのイオンを除き、それは、チャンネルが開いているとき、特定のイオン結合部位において、
いくらかのより多くのイオンがそのチャンネル孔付近に拘束されます（例えば、カリウムチャンネルの３つ）(31)。陽イオン電子感光チャンネルの機構と機能についての詳細は、>11,29,31で見つかります。
変化により、開閉状態のあいだで相互変換し、いくらかの臨界値を超えます。これらのチャンネルの電圧センサーは、４つに対照的に配置された、膜内外の正に電荷した螺旋形
の領域であり、それぞれがS4と称されます。30mV程度上の膜内外電位差の変化は、通常、電子感応チャンネルのゲート制御に必要とされます(29,30)。いくらかのイオンは、1nm
程度上の間隔によるS4領域で同時に瞬間的に作用するかもしれず、そのため−ひとつのイオンを除き、それは、チャンネルが開いているとき、特定のイオン結合部位において、
いくらかのより多くのイオンがそのチャンネル孔付近に拘束されます（例えば、カリウムチャンネルの３つ）(31)。陽イオン電子感光チャンネルの機構と機能についての詳細は、
2018/01/20(土)18:30:24.05(mwGESGgl6)
140電磁波ビームで精神病
例えば、チャンネルセンサー（S4）から1nm程度上の間隔における４つのカリウムイオン、そして外部から加えられる振動電磁場／電磁放射を考えてみてください。あらゆる非偏
光フィールドによる各々のイオン上の電気力（そして磁気力）は、ゼロです（方程式8）。対照的に、電気成分Eを持つ偏光したフィールドによる力は、F = Ezqeです。正弦交流電
磁場 E = E0sinωt による、質量miの遊離イオンの運動方程式は、19,20:
mi d2r / dt2 + λ dr / dt + miω 20 r = E0zqe sin ωt (22)
rは強制振動によるイオン変位の場所、zはイオンの価数（カリウムイオンの場合 z = 1）、素電荷qe = 1.6×10-19C、イオンの変位による減衰係数λ（チャンネル範囲内に値を
有することを算出λ =(ニアリーイコール) 6.4×10 -12kg/s）、ω 0 = 2π ν0(0.1Hz程度上のイオンの記録された自発的な細胞内の振動周波数ν0）、ω = 2πν(フィールド／
放射の周波数ν）、そしてフィールドの振幅E0です(19,20)。
方程式22の一般的な解釈は、19,20:
r = E 0zqe / λω cos ωt + E 0 zqe / λω (23)
光フィールドによる各々のイオン上の電気力（そして磁気力）は、ゼロです（方程式8）。対照的に、電気成分Eを持つ偏光したフィールドによる力は、F = Ezqeです。正弦交流電
磁場 E = E0sinωt による、質量miの遊離イオンの運動方程式は、19,20:
mi d2r / dt2 + λ dr / dt + miω 20 r = E0zqe sin ωt (22)
rは強制振動によるイオン変位の場所、zはイオンの価数（カリウムイオンの場合 z = 1）、素電荷qe = 1.6×10-19C、イオンの変位による減衰係数λ（チャンネル範囲内に値を
有することを算出λ =(ニアリーイコール) 6.4×10 -12kg/s）、ω 0 = 2π ν0(0.1Hz程度上のイオンの記録された自発的な細胞内の振動周波数ν0）、ω = 2πν(フィールド／
放射の周波数ν）、そしてフィールドの振幅E0です(19,20)。
方程式22の一般的な解釈は、19,20:
r = E 0zqe / λω cos ωt + E 0 zqe / λω (23)
2018/01/28(日)20:53:28.13(O5wtSwsZl)
141優しい名無しさん
解の中の期間 E0zqe / λω は、一定の変位を現しますが、振動している期間 E0zqe / λω cos ωt に影響を与えません。この一定の変位は、フィールドが適用または中断ま
たは最初と最後の期間の間、その瞬間において強制振動の振幅 E0zqe / λω を倍増させます。パルスされたフィールド（最新のデジタル通信の大部分のフィールドのような）に
ついては、これが常にパルスが繰り返されることで絶えず起こっています。このように、パルスされたフィールドは−理論的に−いくらかの実験的データと一致して、他の同じパ
ラメータの継続的／非中断フィールドより、さらに二度、激烈です(1,32)。
強制振動の振幅（方程式23の定数項を無視）は：
A = E0zqe / λω (24)
振動する一価遊離陽イオンを通じ、S4領域の有効電荷 q に作用する力は： F = 1 / 4πεε0 / q.qe / r2 （rはS4の有効電荷からの遊離イオンの距離）
各々の振動している陽イオンはdrに置き換えられ、各々のS4センサー上に力を誘導します。
dF = - q.qe / 2πεε0r3 dr (25)
たは最初と最後の期間の間、その瞬間において強制振動の振幅 E0zqe / λω を倍増させます。パルスされたフィールド（最新のデジタル通信の大部分のフィールドのような）に
ついては、これが常にパルスが繰り返されることで絶えず起こっています。このように、パルスされたフィールドは−理論的に−いくらかの実験的データと一致して、他の同じパ
ラメータの継続的／非中断フィールドより、さらに二度、激烈です(1,32)。
強制振動の振幅（方程式23の定数項を無視）は：
A = E0zqe / λω (24)
振動する一価遊離陽イオンを通じ、S4領域の有効電荷 q に作用する力は： F = 1 / 4πεε0 / q.qe / r2 （rはS4の有効電荷からの遊離イオンの距離）
各々の振動している陽イオンはdrに置き換えられ、各々のS4センサー上に力を誘導します。
dF = - q.qe / 2πεε0r3 dr (25)
2018/02/09(金)21:19:41.91(gFNboGOA9)
142優しい名無しさん
非偏光の適用されたフィールド Σd→r = 0, Σd→F = 0の場合、そして偏光した適用されたフィールドの場合、全ての４つの陽イオンからのチャンネルセンサー上の合計力は
以下：
4dF = -2 q.qe / πεε0r3 dr
これは、干渉の能力よりさらに重要な生物的活性に関する偏光そして非偏光の電磁界の間の、よりいっそう決定的な違いです。
各々のS4領域の有効電荷が以下であることがわかります：q = 1.7 qe (30)
この電荷における最小限の力は、膜電位内の30mVの変動により発生する力と等しく(30)、チャンネルのゲート制限のために通常必要であり−計算によると(19)：
dF = 8.16 × 10 -13N.
チャンネル範囲内のひとつの一価陽イオンの置換、これを働かせるための必要最小限の力は、方程式25による計算から：
dr = 4 × 10 -12m
４つの陽イオンが、外部の偏光されたフィールド／放射により位相内そして平行平面上で振動している場合、最小限の置換は以下により減少：dr = 10 -12m
以下：
4dF = -2 q.qe / πεε0r3 dr
これは、干渉の能力よりさらに重要な生物的活性に関する偏光そして非偏光の電磁界の間の、よりいっそう決定的な違いです。
各々のS4領域の有効電荷が以下であることがわかります：q = 1.7 qe (30)
この電荷における最小限の力は、膜電位内の30mVの変動により発生する力と等しく(30)、チャンネルのゲート制限のために通常必要であり−計算によると(19)：
dF = 8.16 × 10 -13N.
チャンネル範囲内のひとつの一価陽イオンの置換、これを働かせるための必要最小限の力は、方程式25による計算から：
dr = 4 × 10 -12m
４つの陽イオンが、外部の偏光されたフィールド／放射により位相内そして平行平面上で振動している場合、最小限の置換は以下により減少：dr = 10 -12m
2018/02/22(木)22:02:58.96(QYUhA6Lj0)
143電磁波犯罪と似非科学・精神医療の歴史
したがって、外部の偏光した振動する電磁界は、自由イオンに振幅による振動を強いることができ E 0zqe / λω ≧ 10 -12m 、細胞膜上の陽イオンチャンネルに不規則なゲ
ート制御をさせることができます。z = 1 (カリウムイオン）により、qe の値を代入、最後の状況におけるλ、以下を得ます：
E0 ≧ 0.25v × 10 -3 (26)
(ν in Hz, E 0 in V/m)
二価陽イオン(z=2)(例えば、Ca+2)により起こる状況、
E 0 ≧ ν × 10 -4 (27)
(ν in Hz, E 0 in V/m)
簡潔に提示された仕組みの掘り下げた記述は、19,20 に見つけられます。
電力フィールド（ν = 50Hz)により、起こる状況27、
E 0 ≧ 0.005 V/m (28)
ート制御をさせることができます。z = 1 (カリウムイオン）により、qe の値を代入、最後の状況におけるλ、以下を得ます：
E0 ≧ 0.25v × 10 -3 (26)
(ν in Hz, E 0 in V/m)
二価陽イオン(z=2)(例えば、Ca+2)により起こる状況、
E 0 ≧ ν × 10 -4 (27)
(ν in Hz, E 0 in V/m)
簡潔に提示された仕組みの掘り下げた記述は、19,20 に見つけられます。
電力フィールド（ν = 50Hz)により、起こる状況27、
E 0 ≧ 0.005 V/m (28)
2018/03/09(金)00:03:29.89(0pKVEfYSi)
144電磁波犯罪と精神医療の真実
このように、5 mV/m を超えている強度による、電力周波数電磁界は、細胞機能を崩壊させることが潜在的に可能です。同じ偏光の供給源（例えば、平行電力線のN数）−N数の
電磁界による最後の値は、強め合う干渉の状況において、Nで割って（方程式19によって）、このようにさらに減少します。そのような最小限の電力周波数電磁界の強度値は、
都市部の日々の環境内に大量に存在し、高電圧送電線にさらに近いです(7)。状況27の２番目の部分である、パルス電磁界については、2で割られて、以下になります：
E 0 ≧ 0.5 ν × 10 -4 (29)
(ν in Hz, E 0 in V/m)
パルス繰り返し周波数ν =217Hz(それらが送信する他の極低周波の周波数について）を持つ、極低周波パルスを送信するデジタル・モバイル携帯通信のフィールド／放射(33)
については、状況29になります：
E 0 ≧ 0.01 V/m (30)
電磁界による最後の値は、強め合う干渉の状況において、Nで割って（方程式19によって）、このようにさらに減少します。そのような最小限の電力周波数電磁界の強度値は、
都市部の日々の環境内に大量に存在し、高電圧送電線にさらに近いです(7)。状況27の２番目の部分である、パルス電磁界については、2で割られて、以下になります：
E 0 ≧ 0.5 ν × 10 -4 (29)
(ν in Hz, E 0 in V/m)
パルス繰り返し周波数ν =217Hz(それらが送信する他の極低周波の周波数について）を持つ、極低周波パルスを送信するデジタル・モバイル携帯通信のフィールド／放射(33)
については、状況29になります：
E 0 ≧ 0.01 V/m (30)
2018/04/02(月)23:31:24.31(BJJk4bRZi)